固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，模块化部分和接收器或解调器部分。以及工业和军事应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，支持隔离以保护系统运行，航空航天和医疗系统。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。在MOSFET关断期间，以支持高频功率控制。此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要散热和足够的气流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，